IXGH40N120C3

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 380000mW 3Pin3+Tab TO-247

IGBT PT 1200V 75A 380W Through Hole TO-247AD IXGH

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IXGH40N120C3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 380000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 380 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 380 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IXGH40N120C3引脚图与封装图

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