IXGT20N120B
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGT20N120B中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 190000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 190 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
外形尺寸
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGT20N120B引脚图与封装图
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在线购买IXGT20N120B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGT20N120B | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 190000mW 3Pin2+Tab TO-268 | 搜索库存 |