IXGR24N120C3H1
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGR24N120C3H1中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1200 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 ISOPLUS-247
外形尺寸
封装 ISOPLUS-247
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGR24N120C3H1引脚图与封装图
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| IXGR24N120C3H1 | IXYS Semiconductor | IGBT Transistors 48A 1200V | 搜索库存 |