IXXN110N65C4H1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
耗散功率 750 W
击穿电压集电极-发射极 650 V
输入电容Cies 3.69nF @25V
额定功率Max 750 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 750000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-227-4
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IXXN110N65C4H1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 210A 750000mW Automotive 4Pin SOT-227B | 搜索库存 |