IXGA8N100

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 1000V 16A 54000mW 3Pin2+Tab TO-263AA

IGBT PT 表面贴装型 TO-263（IXGA）

得捷:
IGBT 1000V 16A 54W TO263

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 16A 3-Pin2+Tab TO-263AA

IXGA8N100中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 54000 mW

击穿电压集电极-发射极 1000 V

额定功率Max 54 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 54000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXGA8N100引脚图与封装图

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