IXGP42N30C3
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGP42N30C3中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 300 V
额定功率Max 223 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGP42N30C3引脚图与封装图
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| IXGP42N30C3 | IXYS Semiconductor | Igbt 42A 300V To-220ab | 搜索库存 |