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IXGT72N60B3

IXGT72N60B3

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

Igbt 600V 75A 540W To268

IXYS extends its GenX3™ insulated gate bipolar transistor IGBT product line to 600 volts. These new IGBTs are manufactured using IXYS’ state-of-the-art GenX3™ IGBT  process  and  utilize  IXYS’  advanced  Punch-Though  PT  technology,  tailored to provide higher surge current capabilities, lower saturation voltages, and lower switching losses.


得捷:
IGBT 600V 75A 540W TO268


IXGT72N60B3中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 540 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXGT72N60B3引脚图与封装图
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