IXGR32N90B2D1

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 900V 47A 160000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

IGBT PT 900 V 47 A 160 W 通孔 ISOPLUS247™

得捷:
IGBT 900V 47A 160W ISOPLUS247

贸泽:
IGBT Transistors 47 Amps 900V 2.9 V Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 900V 47A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247

IXGR32N90B2D1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 160000 mW

击穿电压集电极-发射极 900 V

反向恢复时间 190 ns

额定功率Max 160 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 160000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.34 mm

封装 ISOPLUS-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXGR32N90B2D1引脚图与封装图

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