IXGH28N60B3D1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGH28N60B3D1中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 25 ns
额定功率Max 190 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGH28N60B3D1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXGH28N60B3D1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGH28N60B3D1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 66A 190000mW 3Pin3+Tab TO-247 | 搜索库存 |
替代型号IXGH28N60B3D1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGH28N60B3D1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 66A 190000mW 3Pin3+Tab TO-247 | 当前型号 |
| 型号： IXGH20N60BD1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247AD | 类似代替 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3Pin3+Tab TO-247AD | IXGH28N60B3D1和IXGH20N60BD1的区别 |
| 型号： IXGH24N60AU1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 600V 48A 150000mW | 类似代替 | IGBT 晶体管 G-series A,B,C | IXGH28N60B3D1和IXGH24N60AU1的区别 |
| 型号： IXGH24N60BU1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 150000mW | 类似代替 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 150000mW 3Pin3+Tab TO-247AD | IXGH28N60B3D1和IXGH24N60BU1的区别 |