IXBT42N300HV
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXBT42N300HV中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 500 W
击穿电压集电极-发射极 3000 V
反向恢复时间 1.7 µs
额定功率Max 500 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
外形尺寸
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXBT42N300HV引脚图与封装图
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| IXBT42N300HV | IXYS Semiconductor | Igbt 3000V 42A 357W To268 | 搜索库存 |