IXBF20N300
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXBF20N300中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 3000 V
反向恢复时间 1.35 µs
额定功率Max 150 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 ISOPLUS-i4-3
外形尺寸
宽度 5.21 mm
封装 ISOPLUS-i4-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXBF20N300引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXBF20N300 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 3000V 27A 110000mW 3Pin ISOPLUS I4-PAC | 搜索库存 |