IXYP15N65C3D1M
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXYP15N65C3D1M中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 650 V
反向恢复时间 30 ns
额定功率Max 48 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXYP15N65C3D1M引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXYP15N65C3D1M | IXYS Semiconductor | Igbt 650V 16A 48W To-220 | 搜索库存 |