IXGT30N120BD1
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGT30N120BD1中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1200 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-268-3
外形尺寸
封装 TO-268-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGT30N120BD1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IXGT30N120BD1 | IXYS Semiconductor | IGBT 1200V TO268 | 搜索库存 |