IXBF20N360
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXBF20N360中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 3600 V
反向恢复时间 1.7 µs
额定功率Max 230 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 230000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 i4-Pac
外形尺寸
封装 i4-Pac
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXBF20N360引脚图与封装图
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