IXGH85N30C3
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGH85N30C3中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 300 V
额定功率Max 333 W
耗散功率Max 333 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGH85N30C3引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGH85N30C3 | IXYS Semiconductor | Igbt 300V 75A 333W To247ad | 搜索库存 |