IXGT28N120BD1
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGT28N120BD1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 250000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
反向恢复时间 40 ns
额定功率Max 250 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
外形尺寸
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGT28N120BD1引脚图与封装图
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在线购买IXGT28N120BD1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGT28N120BD1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3Pin2+Tab TO-268 | 搜索库存 |
替代型号IXGT28N120BD1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGT28N120BD1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-3 250000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 250000mW 3Pin2+Tab TO-268 | 当前型号 |
| 型号： IXGT15N120BD1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-3 150000mW | 类似代替 | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 150000mW 3Pin2+Tab TO-268AA | IXGT28N120BD1和IXGT15N120BD1的区别 |
| 型号： IXGT15N120CD1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-3 150000mW | 类似代替 | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 150000mW 3Pin2+Tab TO-268AA | IXGT28N120BD1和IXGT15N120CD1的区别 |
| 型号： IXGT20N120BD1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-3 190000mW | 类似代替 | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 190000mW 3Pin2+Tab TO-268 | IXGT28N120BD1和IXGT20N120BD1的区别 |