IXGT4N250C

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 2500V 13A 150000mW 3Pin2+Tab TO-268

IGBT 2500V 13A 150W Surface Mount TO-268

得捷:
IGBT 2500V 13A 150W TO268

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 2.5KV 13A 3-Pin2+Tab TO-268

DeviceMart:
IGBT NPT 2500V 13A TO-268

IXGT4N250C中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150000 mW

击穿电压集电极-发射极 2500 V

额定功率Max 150 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IXGT4N250C引脚图与封装图

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