IXGN50N60BD3

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 150000mW 4Pin SOT-227B

IGBT 模块 - 单路底座安装 SOT-227B

得捷:
IGBT MOD 600V 75A 250W SOT227B

贸泽:
IGBT Transistors 75 Amps 600V 2.5 V Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 4-Pin SOT-227B

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 4-Pin SOT-227B

IXGN50N60BD3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

输入电容Cies 4.1nF @25V

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 150000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.2 mm

宽度 25.07 mm

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXGN50N60BD3引脚图与封装图

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