IXGH48N60A3
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
耗散功率 300 W
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 300 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXGH48N60A3 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXGH48N60A3 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 300000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247 | 当前型号 | |
型号: IXGH40N60A 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 250000mW | 类似代替 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 250000mW 3Pin3+Tab TO-247AD | IXGH48N60A3和IXGH40N60A的区别 |