IXGH25N120A

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 200000mW 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT - 通孔 TO-247AD（IXGH）

得捷:
IGBT 1200V 50A 200W TO247AD

贸泽:
IGBT Transistors 25 Amps 1200V

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin3+Tab TO-247AD

Win Source:
IGBT 1200V 50A 200W TO247AD

IXGH25N120A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXGH25N120A引脚图与封装图

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