IXGX72N60A3H1
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGX72N60A3H1中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 140 ns
额定功率Max 540 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGX72N60A3H1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGX72N60A3H1 | IXYS Semiconductor | Igbt 600V 75A 540W Plus247 | 搜索库存 |