IXGH12N120A2D1
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGH12N120A2D1中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 2.7 Ω
漏源击穿电压 1200 V
击穿电压集电极-发射极 1200 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGH12N120A2D1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGH12N120A2D1 | IXYS Semiconductor | Igbt 1200V 12A To-247 | 搜索库存 |