IXGP20N120B

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 190000mW 3Pin3+Tab TO-220

IGBT - 1200 V 40 A 190 W 通孔 TO-220AB

得捷:
IGBT 1200V 40A 190W TO220

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 40A 3-Pin3+Tab TO-220

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 40A 3-Pin3+Tab TO-220

IXGP20N120B中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 190000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 190 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXGP20N120B引脚图与封装图

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