IXGE200N60B
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGE200N60B中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 416000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
输入电容Cies 11nF @25V
额定功率Max 416 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 416000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 ISOPLUS227?
外形尺寸
高度 9.65 mm
封装 ISOPLUS227?
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGE200N60B引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGE200N60B | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 416000mW 4Pin ISOPLUS 227 | 搜索库存 |