IXGA12N60CD1
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGA12N60CD1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 100000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 35 ns
额定功率Max 100 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGA12N60CD1引脚图与封装图
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在线购买IXGA12N60CD1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGA12N60CD1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 100000mW 3Pin2+Tab TO-263AA | 搜索库存 |
替代型号IXGA12N60CD1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGA12N60CD1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263AA-3 100000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 100000mW 3Pin2+Tab TO-263AA | 当前型号 |
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| 型号： IXDR30N120D1 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247AD 200000mW | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXDR30N120D1 单晶体管, IGBT, 隔离, 50 A, 2.4 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚 | IXGA12N60CD1和IXDR30N120D1的区别 |