IXGR80N60B

IXYS Semiconductor 分立器件

IGBT Transistors 85A 600V 2.3 Rds

IGBT - 600 V 通孔 ISOPLUS247™

得捷:
IGBT 600V ISOPLUS247

贸泽:
IGBT Transistors 85 Amps 600V 2.3 Rds

艾睿:
HIPERFAST IGBT ISOPLUS247 ELECTRICALLY ISOLATED BACK SURFACE

IXGR80N60B中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

封装 ISOPLUS-247

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXGR80N60B引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IXGR80N60B

型号	制造商	描述	购买
IXGR80N60B	IXYS Semiconductor	IGBT Transistors 85A 600V 2.3 Rds	搜索库存