IXXK100N60C3H1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 140 ns
额定功率Max 695 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 695000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-264-3
封装 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IXXK100N60C3H1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 170A 695000mW 3Pin3+Tab TO-264 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IXXK100N60C3H1 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-264-3 | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 170A 695000mW 3Pin3+Tab TO-264 | 当前型号 | |
型号: IXSK40N60CD1 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-264-3 | 类似代替 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3Pin3+Tab TO-264AA | IXXK100N60C3H1和IXSK40N60CD1的区别 |