IXGH60N60C3D1

IXYS Semiconductor 分立器件

IXGH 系列 600 Vce 75 A 21 ns ton 1.7 Vcesat IGBT - TO-247 AD

IGBT PT 600 V 75 A 380 W 通孔 TO-247AD

得捷:
IGBT 600V 75A 380W TO247AD

立创商城:
IXGH60N60C3D1

贸泽:
IGBT 模块 60 Amps 600V

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 380000mW 3-Pin3+Tab TO-247

TME:
Transistor: IGBT; 600V; 60A; 380W; TO247-3

Win Source:
IGBT 600V 75A 380W TO247AD

IXGH60N60C3D1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 380 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 25 ns

额定功率Max 380 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 380 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXGH60N60C3D1引脚图与封装图

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