IXGH12N90C
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGH12N90C中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 100000 mW
击穿电压集电极-发射极 900 V
额定功率Max 100 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGH12N90C引脚图与封装图
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在线购买IXGH12N90C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGH12N90C | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 900V 24A 100000mW 3Pin3+Tab TO-247 | 搜索库存 |
替代型号IXGH12N90C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGH12N90C 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 100000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 900V 24A 100000mW 3Pin3+Tab TO-247 | 当前型号 |
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| 型号： IGW40T120 品牌： 英飞凌 封装： TO-247-3 | 功能相似 | INFINEON IGW40T120 单晶体管, IGBT, 40 A, 2.3 V, 270 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚 | IXGH12N90C和IGW40T120的区别 |
| 型号： IRG4BC30UDPBF 品牌： 英飞凌 封装： TO-220AB 100000mW | 功能相似 | INFINEON IRG4BC30UDPBF 单晶体管, IGBT, 23 A, 2.52 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚 | IXGH12N90C和IRG4BC30UDPBF的区别 |