IXBT10N170

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 1700V 20A 140000mW 3Pin2+Tab TO-268

IGBT 1700 V 20 A 140 W 表面贴装型 TO-268AA

得捷:
IGBT 1700V 20A 140W TO268

贸泽:
IGBT Transistors 10 Amps 1700V 2.3 Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 20A 3-Pin2+Tab TO-268

IXBT10N170中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 140 W

击穿电压集电极-发射极 1700 V

反向恢复时间 360 ns

额定功率Max 140 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 140000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

长度 16.05 mm

宽度 14 mm

高度 5.1 mm

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXBT10N170引脚图与封装图

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