IXGP4N100
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
击穿电压集电极-发射极 1000 V
额定功率Max 40 W
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free