IXGH32N90B2D1
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGH32N90B2D1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 300000 mW
击穿电压集电极-发射极 900 V
反向恢复时间 190 ns
额定功率Max 300 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGH32N90B2D1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGH32N90B2D1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 900V 64A 300000mW 3Pin3+Tab TO-247AD | 搜索库存 |