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IXGH30N120C3H1

IXGH30N120C3H1

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 48A 250000mW 3Pin3+Tab TO-247AD

High speed PT IGBTs for 10-50kHz Switching

**V**CES **= 1200V**

**I**C100 **= 24A**

**V**CEsat  ≤ **4.2V**

**t****fityp ****= 42ns**

Features

Optimized for Low Conduction and Switching Losses

Square RBSOA

Anti-Parallel Ultra Fast Diode

Avalanche Rated

International Standard Package

Applications

AC Motor Speed Control

DC Servo and Robot Drives

DC Choppers

Uninterruptible Power Supplies UPS

Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

IXGH30N120C3H1中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 70 ns

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXGH30N120C3H1引脚图与封装图
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