IXXH75N60C3D1
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXXH75N60C3D1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 750000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 25 ns
额定功率Max 750 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 750000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IXXH75N60C3D1引脚图与封装图
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在线购买IXXH75N60C3D1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXXH75N60C3D1 | IXYS Semiconductor | Igbt 600V 150A 750W To247 | 搜索库存 |