IXBF50N360
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXBF50N360中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 3600 V
反向恢复时间 1.7 µs
额定功率Max 290 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 i4-Pac
外形尺寸
封装 i4-Pac
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXBF50N360引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXBF50N360 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 3600V 70A 290000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS I4-PAK | 搜索库存 |