IXGA20N120B3
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGA20N120B3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 180000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 180 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 180000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IXGA20N120B3引脚图与封装图
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在线购买IXGA20N120B3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGA20N120B3 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 36A 180000mW 3Pin2+Tab D2PAK | 搜索库存 |
替代型号IXGA20N120B3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXGA20N120B3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263-3 180000mW | 当前型号 | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 36A 180000mW 3Pin2+Tab D2PAK | 当前型号 |
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| 型号： IXGA20N60B 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-263-3 | 功能相似 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3Pin2+Tab TO-263AA | IXGA20N120B3和IXGA20N60B的区别 |