IXYH40N90C3D1

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 900V 90A 500000mW 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT - 900 V 90 A 500 W 通孔 TO-247（IXTH）

得捷:
IGBT 900V 90A 500W TO247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 900V 90A 500000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD

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Trans IGBT Chip N-CH 900V 90A 500000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD

IXYH40N90C3D1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 500000 mW

击穿电压集电极-发射极 900 V

反向恢复时间 100 ns

额定功率Max 500 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IXYH40N90C3D1引脚图与封装图

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