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IXBH16N170

IXBH16N170

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IXYS Semiconductor 分立器件

IXBH 系列 1700 Vce 40 A 38 ns ton 双极 MOS 晶体管 - TO-247AD

Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 40A 3-Pin3+Tab TO-247AD


得捷:
IGBT 1700V 40A 250W TO247AD


艾睿:
Use the IXBH16N170 IGBT transistor from Ixys Corporation as an electronic switch. It has a maximum collector emitter voltage of 1700 V. Its maximum power dissipation is 250000 mW. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It is made in a single configuration.


Verical:
Trans IGBT Chip N=-CH 1700V 40A 250000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD


Online Components:
Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 40A 3-Pin3+Tab TO-247AD


DeviceMart:
IGBT 1700V 40A 250W TO247AD


IXBH16N170中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1.70 kV

额定电流 16.0 A

耗散功率 250000 mW

上升时间 25.0 ns

击穿电压集电极-发射极 1700 V

反向恢复时间 1.32 µs

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

宽度 5.3 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IXBH16N170引脚图与封装图
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