IXGN82N120B3H1
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGN82N120B3H1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 595000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 7.9nF @25V
额定功率Max 595 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 595000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IXGN82N120B3H1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGN82N120B3H1 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 145A 595000mW 4Pin SOT-227B | 搜索库存 |