IXGR35N120BD1

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 250000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

IGBT - 1200 V 54 A 250 W 通孔 ISOPLUS247™

得捷:
IGBT 1200V 54A 250W ISOPLUS247

贸泽:
IGBT Transistors 23 Amps 1200V 3.7 Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 54A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247

IXGR35N120BD1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 250000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 40 ns

额定功率Max 250 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.34 mm

封装 ISOPLUS-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXGR35N120BD1引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IXGR35N120BD1

型号	制造商	描述	购买
IXGR35N120BD1	IXYS Semiconductor	Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 250000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS 247	搜索库存