IXXX300N60B3
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXXX300N60B3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 2300000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 2300 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2300000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IXXX300N60B3引脚图与封装图
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在线购买IXXX300N60B3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXXX300N60B3 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 600V 550A 2300000mW 3Pin3+Tab PLUS 247 | 搜索库存 |