IXGT32N90B2D1

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 900V 64A 300000mW 3Pin2+Tab TO-268

IGBT 900V 64A 300W Surface Mount TO-268

得捷:
IGBT 900V 64A 300W TO268

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 900V 64A 3-Pin2+Tab TO-268

Win Source:
IGBT 900V 64A 300W TO268 / HiPerFAST IGBT with Fast Diode

IXGT32N90B2D1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 300000 mW

击穿电压集电极-发射极 900 V

反向恢复时间 190 ns

额定功率Max 300 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

高度 5.1 mm

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXGT32N90B2D1引脚图与封装图

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