IXGF25N300
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGF25N300中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 114000 mW
击穿电压集电极-发射极 3000 V
额定功率Max 114 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 114000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 i4-Pac
外形尺寸
高度 20.88 mm
封装 i4-Pac
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGF25N300引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGF25N300 | IXYS Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 3000V 27A 114000mW 3Pin ISOPLUS I4-PAC | 搜索库存 |