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IXBL20N300C

IXBL20N300C

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

IGBT 3000V

IGBT - 通孔 ISOPLUSi5-Pak™


得捷:
IGBT 3000V


贸泽:
MOSFET


艾睿:
Monolithic Bipolar MOS Transistor


IXBL20N300C中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 3000 V

反向恢复时间 864 ns

额定功率Max 417 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUSi5-Pak

外形尺寸

封装 ISOPLUSi5-Pak

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXBL20N300C引脚图与封装图
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