IXXH40N65B4
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXXH40N65B4中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 455 W
击穿电压集电极-发射极 650 V
额定功率Max 455 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXXH40N65B4引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXXH40N65B4
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXXH40N65B4 | IXYS Semiconductor | IGBT 晶体管 650V/120A TRENCH IGBT GENX4 XPT | 搜索库存 |