IXGR24N120C3D1
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXGR24N120C3D1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 200 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
反向恢复时间 220 ns
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 200000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 ISOPLUS-247
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 ISOPLUS-247
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGR24N120C3D1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGR24N120C3D1 | IXYS Semiconductor | Igbt 1200V 48A 200W Isoplus247 | 搜索库存 |