IXA20RG1200DHGLB-TRR
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXA20RG1200DHGLB-TRR中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 125 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 9
封装 SMD-9
外形尺寸
封装 SMD-9
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXA20RG1200DHGLB-TRR引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXA20RG1200DHGLB-TRR | IXYS Semiconductor | Igbt 1200V 32A 125W Smpd | 搜索库存 |