IXTZ550N055T2

IXYS Semiconductor 分立器件

DE-475 N-CH 55V 550A

N-Channel 55V 550A Tc 600W Tc Surface Mount DE475

得捷:
MOSFET N-CH 55V 550A DE475

富昌:
N Channel 55 V 550 A 1 mOhm TrenchT2 GigaMOS Power Mosfet - DE475

IXTZ550N055T2中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 600W Tc

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 550A

输入电容Ciss 40000pF @25VVds

耗散功率Max 600W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DE-475

外形尺寸

封装 DE-475

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXTZ550N055T2引脚图与封装图

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