IXGT50N60C2

IXYS Semiconductor 分立器件

Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 400000mW 3Pin2+Tab TO-268

C2-Class High Speed IGBTs

Features

Very high frequency IGBT

Square RBSOA

High current handling capability

MOS Gate turn-on

\- drive simplicity

得捷:
IGBT 600V 75A 400W TO268

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin2+Tab TO-268

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 3-Pin2+Tab TO-268

IXGT50N60C2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 400000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 400 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 400000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

高度 5.1 mm

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IXGT50N60C2引脚图与封装图

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