IXKC25N80C
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXKC25N80C中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 150 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 -
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
连续漏极电流Ids 25A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 4600pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 11 mm
宽度 5 mm
高度 16 mm
封装 TO-220-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXKC25N80C引脚图与封装图
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在线购买IXKC25N80C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXKC25N80C | IXYS Semiconductor | ISOPLUS N-CH 800V 25A | 搜索库存 |
替代型号IXKC25N80C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXKC25N80C 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-220-3 N-CH 800V 25A | 当前型号 | ISOPLUS N-CH 800V 25A | 当前型号 |
| 型号： SPP17N80C3 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 N-Channel 800V 17A | 功能相似 | INFINEON SPP17N80C3. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 290 mohm, 10 V, 3 V | IXKC25N80C和SPP17N80C3的区别 |
